高性能P沟道MOSFET器件  

出　　处：《今日电子》2012年第4期66-66,共1页Electronic Products

摘　　要：FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有优异的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用dFDMA905P采用2mm×2mmMicro FET封装.

关 键 词：MOSFET器件 散热性能 P沟道 导通阻抗 线性模式 封装 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]