飞兆半导体与英飞凌科技就创新型汔车MOSFET H—PSOF TO无铅封装技术达成许可协议  

出　　处：《半导体技术》2012年第5期408-408,共1页Semiconductor Technology

摘　　要：2012年4月12日，飞兆半导体公司和英飞凌科技公司日前宣布已就英飞凌的H—PSOF（带散热片的小外形扁平引脚塑料封装）先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H—PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅（TO—LL）封装（MO一299）。

关 键 词：英飞凌科技公司 飞兆半导体公司 MOSFET 封装技术 许可协议 无铅 创新型 JEDEC标准 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]