JEDEC标准

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基于JEDEC标准的芯片吸塑料盘设计及应用研究
《中国包装》2024年第11期52-56,共5页焦洁 边兵兵 
近年来半导体芯片行业的快速发展,传统JEDEC标准的料盘已不能满足大尺寸芯片的使用要求,影响了芯片的良率。本文基于JEDEC料盘设计原则,结合大尺寸芯片对料盘的应用需求,分析了其设计难点,进而提出了基于JEDEC标准的吸塑料盘设计原则。...
关键词：JEDEC 芯片 吸塑 料盘 
瑞萨电子推出符合JEDEC标准的精密温度传感器
《单片机与嵌入式系统应用》2020年第7期95-95,共1页
瑞萨电子株式会社推出全新精密温度传感器TS5111,用于DDR5存储器模块以及其他需要精确、实时温度监控的多种应用,例如固态磁盘(SSD)、计算主板和通信设备等。符合JEDEC(固态技术协会)标准的全新温度传感器使内存模块和其他温度敏感系统...
关键词：内存模块 温度传感器 刷新率 存储器模块 通信设备 DDR 瑞萨 控制回路 
基于LPDDR4国际JEDEC标准的随机验证算法
《信息与电脑》2018年第6期37-39,共3页刘永丽 宋炜哲 李进 安九华 尹萍 
LPDDR4是新一代高频率、高容量、低功耗的DRAM存储器,其国际JEDEC标准于2014年公布。笔者基于LPDDR4国际JEDEC标准提出了一种DRAM产品的随机验证算法RANDOMP,该算法突破了传统手写验证算法的局限。通过RANDOMP可以生成符合JEDEC标准的...
关键词：LPDDR4 JEDEC 随机验证算法 RANDOMP 设计缺陷 
基于AXI总线高效能DDR3控制器IP软核的硬件实现被引量：2
《中国集成电路》2015年第12期38-42,64,共6页陈宏铭 钟昌瑾 
DDR3 SDRAM是新一代的内存技术标准,也是目前内存市场上的主流。大量的嵌入式系统或手持设备也纷纷采用DDR3内存来提高性能与降低成本,随着越来越多的So C系统芯片中集成DDR3接口模块,设计一款匹配DDR3的内存控制器IP软核具有良好的应...
关键词：DDR3内存 AXI总线 JEDEC标准 XILINX FPGA 
英飞凌推出额定电流高达120A的新型TO-247PLUS封装
《变频器世界》2014年第12期17-17,共1页
2014年12月2日,慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式IGBT产品组合,推出新型TO-247PLUS封装,可满足额定电流高达120A的IGBT封装,并在相同的体积和引脚内装有满额二极管作为JEDEC标准TO-247-3。TO-247PLUS可用于...
关键词：额定电流 封装 JEDEC标准 汽车应用 IGBT 传动系统 工业应用 高功率输出 
联华电子55nm低功耗工艺提供KiIopass的Gusto刑超低功耗NVMIP
《中国集成电路》2014年第6期9-9,共1页
联华电子与Kilopass日前共同宣布，Kilopass的Gusto低功耗NVMIP，在顺利完成1000小时JEDEC标准可靠度测试后，现已于联华电子55nm低功耗工艺平台上提供。联华电子便携式与无线系统单芯片客户，现可通过Gusto获得高安全性、
关键词：超低功耗 电子 工艺 JEDEC标准 系统单芯片 可靠度 便携式 安全性 
天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管
《世界电子元器件》2013年第8期19-19,共1页
H×8（CD0402）-TxxC—TVS阵列半导体产业在向越来越小的电了元件发展，这住便携式通信，计算机和视频没备的市场是具有很好的前景。瞬态电压抑制器阵列系列提供了在一个双向的配置从3V至36V的电压类型不等选择。芯片二极管符合JEDEC标...
关键词：肖特基势垒二极管 光半导体 瞬态电压抑制器 JEDEC标准 封装 天水 半导体产业 TVS 
JEDEC标准(JESD216)SFDP对串行Flash在系统中的应用
《电子技术（上海）》2013年第5期32-34,共3页谢亚立 
JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter(SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用,并给出其在系统设计中的具体应用。
关键词：JEDEC JESD216 SFDP 串行FLASH SPI 
热载流子效应及其对器件可靠性影响的研究
《电脑知识与技术（过刊）》2013年第2X期1161-1162,共2页禹玥昀 林宏 
该文主要阐述了热载流子效应产生的物理机制及器件的退化,进一步介绍了在JEDEC标准中,对可靠性模型寿命计算做出的规范下,目前使用的三种寿命计算模型:衬底电流模型,Vd模型,Isub/Id模型(即:胡模型),基于这些模型对器件寿命的估算,将为...
关键词：热载流子 可靠性模型 寿命 JEDEC标准 
飞兆半导体与英飞凌科技就创新型汔车MOSFET H—PSOF TO无铅封装技术达成许可协议
《半导体技术》2012年第5期408-408,共1页
2012年4月12日，飞兆半导体公司和英飞凌科技公司日前宣布已就英飞凌的H—PSOF（带散热片的小外形扁平引脚塑料封装）先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H—PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅（TO—LL）封装（MO一299）。
关键词：英飞凌科技公司 飞兆半导体公司 MOSFET 封装技术 许可协议 无铅 创新型 JEDEC标准 
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