AlN基片氧化及金属化  

The effect of oxidation of AlN substrates on printing adhesion strength

作　　者：徐忠华[1] 马莒生[1] 李志勇[1] 韩振宇[1] 王谦[1] 唐祥云[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,北京100084

出　　处：《电子元件与材料》2000年第2期1-2,共2页Electronic Components And Materials

摘　　要：研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并用 XRD和 SEM分析了氧化结果。从 12 0 0℃开始 ,基片表面有较明显的氧化 ,140 0℃时 ,基片内部氧化明显。在氧化后的 Al N基片上金属化布线 ,发现表面轻微氧化的 Al N基片和金属化强度有一些提高 ,但氧化过度 ,反而会使金属化结合强度大幅度下降。ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China), Vol 19, No 2, P1 2 (Apr 2000) In Chinese The effect of oxidation of AlN substrates on adhesion strength of the printed thick film circuits is researched by means of XRD and SEM In high temperature treatment, AlN substrates are slightly oxidized on the surface at 1 200℃, and heavily oxidized inside at 1 400℃ The adhesion strength can be improved when the substrates slightly oxidized, and reduced considerably when oxidized heavily (5 refs )

关 键 词：金属化 AIN陶瓷 氧化 基片 

分 类 号：TM28[一般工业技术—材料科学与工程] TN402[电气工程—电工理论与新技术]