用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究  

Etching of SiGe alloys used for HBT’s

作　　者：欧益宏[1] 刘道广[1] 李开成[2] 

机构地区：[1]信息产业部电子第二十四研究所,重庆400060 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《微电子学》2000年第2期76-78,共3页Microelectronics

摘　　要：探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的实用化途径 ,并且解决了不同 Ge含量的 Si1-x GexThe process conditions of reactive ion etching(RIE) and wet etching of Si 1-x Ge x alloys are discussed.By comparing the two etching techniques,a practical approach to etching Si 1-x Ge x alloys has been found.And the control of etching rates for Si 1-x Ge x alloy with different Ge content has been realized.

关 键 词：硅-锗合金 反应离子刻蚀 异质结 双极晶体管 

分 类 号：TN322.804[电子电信—物理电子学] TN304.2