ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制  

Control of Inductively Coupled Plasma Etching GaN Sidewall Profiles and Etch Rate

作　　者：王玮[1,2,3] 蔡勇[1] 张宝顺[1] 黄伟 李海鸥 

机构地区：[1]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 [3]中国科学院研究生院,北京100049 [4]无锡晶凯科技有限公司,江苏无锡214061

出　　处：《固体电子学研究与进展》2012年第3期219-224,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10990102);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)

摘　　要：深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。Sidewall profiles and etch rate of dry etched GaN mesas were investigated by using a chlorine based inductively coupled plasma （ICP） system. The process conditions were carefully selected by changing ICP ion source power, RF power, gas flow, and chamber pressure. The ex-perimental results show that a very wide sidewall profile angle could be achieved from 23°to 83° at certain optimized conditions, which provide a helpful process guideline for fabricating GaN based devices.

关 键 词：电感耦合等离子体 刻蚀 氮化镓 侧壁倾角 射频功率 

分 类 号：O47[理学—半导体物理] TL814[理学—物理]