基于GaN芯片的宽带固态功率放大器设计  

A Design of Board-band SSPA Based on GaN MMIC

作　　者：成海峰[1] 王晔[1] 陶洪琪[1] 徐建华[1] 张斌[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2012年第3期230-233,256,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍了一种基于GaN功率放大芯片的Ku波段宽带固态功率放大器的设计与实现。通过采用目前已经成熟的合成技术,进行了128路的功率合成,获得了大于1 000W的宽带输出功率和20%的功率附加效率,并分析了基于GaN芯片的固态功放的优势。An application of a Ku-band board-band SSPA based on GaN PA MMIC is shown in this paper. A existent 128-way combining structure is used, and above 1 000 W power output is got with high efficiency of 20%. Finally the advantages of the GaN MMIC are analyzed.

关 键 词：氮化镓 三代半导体 固态功率放大器 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]