王晔

作品数：2被引量：7H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：GAN氮化镓半导体放大器设计固态功率放大器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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基于GaN芯片的宽带固态功率放大器设计被引量：7
《固体电子学研究与进展》2012年第3期230-233,256,共5页成海峰 王晔 陶洪琪 徐建华 张斌 
介绍了一种基于GaN功率放大芯片的Ku波段宽带固态功率放大器的设计与实现。通过采用目前已经成熟的合成技术,进行了128路的功率合成,获得了大于1 000W的宽带输出功率和20%的功率附加效率,并分析了基于GaN芯片的固态功放的优势。
关键词：氮化镓 三代半导体 固态功率放大器 
Ku波段宽带大功率多芯片合成设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第6期563-567,共5页王晔 成海峰 张斌 
设计针对多个Ku波段宽带MMIC功率放大芯片进行大功率合成。对波导多路功率合成结构进行了分析,基于单个Ku波段6W功放单片,进行了16路的功率合成,研制出了工作在12～17GHz,带宽达到6GHz的固态功率放大器。通过测试发现该固态功率放大器...
关键词：固态 功率放大器 合成 大功率 
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