屏蔽空间电离总剂量的CMOS IC封装  

CMOS IC package of shielding total ionizing doses

作　　者：张文娟[1] 张金利[1] 李军[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第13研究所,河北石家庄050051

出　　处：《信息与电子工程》2012年第4期495-499,508,共6页information and electronic engineering

摘　　要：分析CMOS IC封装材料自身辐射对器件的影响及封装对空间电离总剂量的屏蔽作用。采用仿真计算,给出不同封装材料与结构对空间电离总剂量的屏蔽效果,得到屏蔽性能最优的多层结构。试验结果表明:优化后的多层结构封装管壳对空间电离总剂量的屏蔽效果比常规封装管壳提高了一个数量级以上,经屏蔽加固后的常规电路可承受500 krad(Si)的电子总剂量辐照。This paper studies the shielding performance of CMOS IC package, and analyses the radiation effect of package materials on devices and the shielding effect of package. Monte Carlo is employed to calculate the shielding effect of different package materials and optimize the package structure. The results indicate that the shielding effect of the optimum structure is improved by ten times, and the devices after being reinforced can bear the total ionizing doses of 500 krad（Si）.

关 键 词：CMOS器件 IC封装 电离总剂量辐照 仿真 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TL752.3[核科学技术—辐射防护及环境保护]