GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积  

作　　者：贺洪波[1] 范正修[1] 姚振钰[2] 汤兆胜[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心,上海201800 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《中国科学（E辑）》2000年第2期127-131,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家高技术"八六三"计划资助

摘　　要：采用常规磁控溅射方法 ,通过优化工艺 ,在Si( 10 0 ) ,Si( 111)多种基片上沉积ZnO薄膜 .利用透射电镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)和X射线摇摆曲线 (XRC) ,对ZnO薄膜的微区形貌、结晶情况、C轴择优取向进行了详细的测试分析 .结果表明 ,所制备的ZnO薄膜具有理想的结构特性 ,大多数样品测得ZnO( 0 0 2 )晶面XRC的半高宽 (FWHM)为 1°左右 ,最小值达 0 .3 5 3°,优于目前国内外同类研究的最佳结果 2°.并对ZnO/Si( 10 0 )与ZnO/Si( 111)衬底的结果进行了比较和讨论 .

关 键 词：磁控溅射 氧化锌 硅 氮化镓 蓝光器件 溅射沉积 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]