第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(八) 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究  

作　　者：周玉荣[1] 刘勇 刘丰珍[1] 

机构地区：[1]中国科学院研究生院

出　　处：《太阳能》2013年第1期18-21,共4页Solar Energy

基　　金：国家重点基础研究发展计划;基于宽光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料的基础研究(2011CBA00705)

摘　　要：将磁控溅射和热丝化学气相沉积相结合,制备出超高浓度钛掺杂的氢化非晶硅薄膜。通过光发射谱(OES)分析了热丝加热前后直流溅射辉光特性,结果表明热丝加热与否对直流溅射过程的影响不大。俄歇电子能谱显示钛在薄膜中是均匀分布的,改变磁控溅射的功率可控制薄膜中钛的含量,薄膜在可见和红外光的吸收随钛浓度的增加而显著增强。掺钛非晶硅薄膜仍表现出半导体特性,电阻率随着温度的降低而提高,满足变程跳跃电导输运机制。采用激光熔融(PLM)对薄膜进行退火,薄膜晶化率达50%以上。晶化的掺钛硅薄膜仍保持较高的可见-红外波段的光吸收。

关 键 词：硅薄膜 超高浓度钛掺杂 热丝化学气相沉积 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动] TN304[电子电信—物理电子学]