沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究  

Structural and Luminescent Properties of Nano-SiC Deposited on Anodic Alumina Templates

作　　者：徐大印[1] 杨咏东[1] 何志巍[2] 李剑平[1] 吴现成[1] 

机构地区：[1]烟台大学光电信息科学技术学院,山东烟台264005 [2]中国农业大学物理系,北京100083

出　　处：《烟台大学学报（自然科学与工程版）》2013年第2期97-100,共4页Journal of Yantai University(Natural Science and Engineering Edition)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51007092);教育部重大项目培育基金资助项目(708014);教育部专项基金(2010JS032);烟台大学青年基金资助项目(WL11Z$)

摘　　要：用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系.We use second-anodization to prepare high-quality alumina templates, and then use magnetron sputtering to grow amorphous SiC material on these anodic alumina templates. Atomic force microscopy （AFM） results show that, it is able to form a layered, point-like and rod-like SiC nanostrueture at different sputtering pressure 0.5 - 1.5 Pa. Photoluminescence spectra （PL） show a strong bimodal structure of the emission peak between 550 - 700 nm, with the change in growth conditions, the peaks significantly changes in the intensity. Effects of preparation conditions on the formation of nanostructure and the glow peak changes are analyzed.

关 键 词：磁控溅射 氧化铝模板 SIC 光致发光 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]