一种SOI MEMS器件电极互连和圆片级真空封装技术  

作　　者：方澍[1] 王晓漫[1] 刘善喜[1] 

机构地区：[1]北方通用电子集团有限公司微电子部,苏州215163

出　　处：《集成电路通讯》2013年第1期9-13,共5页

摘　　要：在SOIMEMS工艺中，采用介质填充，平坦化等工艺手段，实现器件间电极互连和从器件表面引出金属压焊点，工艺技术难度大、工艺复杂、成品率低。一种基于SOI的MEMS器件电极互连结构的设计与工艺可以解决此问题。在MEMS器件圆片级真空封装的硅盖板上，设计一些电隔槽、真空封装环等结构，并在硅盖板上制作金导线，通过金硅共晶键合，把MEMS器件结构中的各电极按设计要求互连起来，并把各电极引出到相应的高掺杂硅的压焊块上，再与对应的金属压焊点相连接在一起，实现了SOIMEMS器件电极互连和圆片级的真空封装。

关 键 词：SOI MEMS 真空封装 电极互连 键合 

分 类 号：TN405.94[电子电信—微电子学与固体电子学]