方澍

作品数：3被引量：2H指数：1
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一种SOI MEMS器件电极互连和圆片级真空封装技术
《集成电路通讯》2013年第1期9-13,共5页方澍 王晓漫 刘善喜 
在SOIMEMS工艺中，采用介质填充，平坦化等工艺手段，实现器件间电极互连和从器件表面引出金属压焊点，工艺技术难度大、工艺复杂、成品率低。一种基于SOI的MEMS器件电极互连结构的设计与工艺可以解决此问题。在MEMS器件圆片级真空封装...
关键词：SOI MEMS 真空封装 电极互连 键合 
一种MEMS器件圆片级真空封装技术
《集成电路通讯》2012年第3期34-38,共5页方澍 王晓漫 刘善喜 
介绍了一种MEMS器件圆片级真空封装结构设计与制造过程。通过硅柱、密封环及硅帽的结构设计，结合圆片键合等工艺制造手段，解决了MEMS器件圆片级真空封装中电极从玻璃衬底上引出到器件结构表层或硅帽盖板上的难题，实现了电极的再分布...
关键词：MEMS 键合 圆片级 真空封装 
LTCC基板上薄膜铜导带工艺制作技术被引量：2
《集成电路通讯》2012年第3期39-44,共6页方澍 王晓漫 余飞 
在LTCC基板上制作主导体层金属导带是MCM—C／D上实现薄膜多层布线关键技术之一。由于铜具有最高的导电率和高的导热率，且价格便宜、易于加工、抗电迁移性好，所以是最常用的主导体层材料。通过对LTCC基板上制作薄膜铜导带的主要工艺...
关键词：LTCC多层基板 抛磨 铜导带 
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