一种MEMS器件圆片级真空封装技术  

作　　者：方澍[1] 王晓漫[1] 刘善喜[1] 

机构地区：[1]北方通用电子集团有限公司微电子部,苏州215163

出　　处：《集成电路通讯》2012年第3期34-38,共5页

摘　　要：介绍了一种MEMS器件圆片级真空封装结构设计与制造过程。通过硅柱、密封环及硅帽的结构设计，结合圆片键合等工艺制造手段，解决了MEMS器件圆片级真空封装中电极从玻璃衬底上引出到器件结构表层或硅帽盖板上的难题，实现了电极的再分布、电气连接、电气隔离和MEMS器件圆片级高真空封装。为了保证MEMS器件的圆片级的高真空封装，进行了两种结构的设计：一是真空密封环的设计，包括真空外密封环和压焊点密封环；二是金属电极的引出，即通过硅柱的设计，起到电气隔离和高真空密封的作用。为MEMS真空封装提供了一条有效的技术途径。

关 键 词：MEMS 键合 圆片级 真空封装 

分 类 号：TN405.94[电子电信—微电子学与固体电子学]