硅纳米电极超低电压场致电离特性研究  

Ultralow-voltage field ionization of silicon nano-electrode

作　　者：陈云[1,2] 张健[1] 于江江[1] 郑小东[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子工程系,上海200241 [2]南通大学电子信息学院,江苏南通226019

出　　处：《华东师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期194-201,共8页Journal of East China Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金(61076070);南通市应用研究计划项目(BK2012039);南通大学自然科学基金项目(102025)

摘　　要：用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度.By using method of wet chemical etching,a kind of straight aligned silicon nanowires （SiNWs） was prepared,with average length and diameter about 20μm and 100 nm,respectively. Then 1D SiNWs were used as the nano-electrode of capacitive ionization structure in a test system of ionization,to test the full volt ampere characteristics of ionization.The test results show that the as-grown SiNWs acting as one of the nano-electrode can reduce the breakdown voltage of power system greatly,because the as-grown SiNWs have large field enhancement factor, small size effect and high defect density.

关 键 词：硅纳米线 场致电离 击穿电压 湿法化学刻蚀 

分 类 号：O47[理学—半导体物理]