湿法化学刻蚀

作品数：15被引量：34H指数：3
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湿法化学刻蚀技术处理抛光熔石英元件被引量：4
《光学精密工程》2020年第2期382-389,共8页叶卉 李亚国 姜晨 陈起 
国家自然科学基金资助项目(No.51475310);上海市青年科技英才扬帆计划资助项目(No.18YF1417700)。
为了提高熔石英元件的抗激光损伤能力,采用基于氢氟酸刻蚀的湿法化学技术去除元件内的激光损伤诱因。利用不同的氢氟酸溶液处理经氧化铈抛光的熔石英元件,并对元件的刻蚀速率、表面洁净度、粗糙度、透过率和激光损伤性能进行评价。研究...
关键词：激光损伤性能 熔石英 氢氟酸湿法刻蚀 刻蚀沉积物 表面粗糙度 
一种在弱酸溶液中采用金属辅助湿法化学刻蚀黑硅的新方法被引量：1
《云南师范大学学报（自然科学版）》2014年第5期18-20,共3页廖承菌 李学铭 杨培志 
国家自然科学基金资助项目(61066004;U1037604)
为降低黑硅材料的成本,将太阳电池级单晶硅片浸入含有氯金酸（HAuCl4）的草酸/氢氟酸（H2C2O4/HF）混合水溶液中做刻蚀.利用扫描电子显微镜（SEM）和紫外—可见—近红外分光光度计对表面形貌和反射光谱进行了表征与测量.结果表明：样品...
关键词：黑硅 弱酸溶液 广谱吸收 
金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨被引量：1
《云南师范大学学报（自然科学版）》2013年第5期22-28,共7页廖承菌 杨培志 廖华 李学铭 
国家自然科学基金资助项目(61066004;U1037604)
为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理,单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀,经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的...
关键词：黑硅 增强广谱吸收 金字塔绒面 
硅纳米电极超低电压场致电离特性研究被引量：1
《华东师范大学学报（自然科学版）》2013年第3期194-201,共8页陈云 张健 于江江 郑小东 
国家自然科学基金(61076070);南通市应用研究计划项目(BK2012039);南通大学自然科学基金项目(102025)
用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律...
关键词：硅纳米线 场致电离 击穿电压 湿法化学刻蚀 
压电微能量采集器PZT厚膜制备及其图形化研究被引量：1
《真空》2011年第2期19-21,共3页唐刚 刘景全 杨春生 柳和生 李以贵 
科技部国际合作项目(2009DFB10330);上海市国际科技合作基金(08230705500);国家自然科学基金(60876082);新世纪优秀人才支持计划(2009);江西省科技厅对外科技合作项目(No.2010EHAO2500)
采用环氧树脂作为中间层的真空键合技术实现体材PZT与硅片键合,再利用机械化学抛光方法将PZT减薄到适当的厚度制备了PZT铁电厚膜,构成了SiO2/Si/SiO2/Epoxy/Ag/PZT/Cr/Cu形式的压电能量采集器悬臂梁结构。基于半导体光刻技术,通过湿法...
关键词：压电能量采集器 真空键合 PZT(锆钛酸铅)厚膜 湿法化学刻蚀 振动 
BST薄膜的湿法化学刻蚀工艺优化及应用初探被引量：1
《湖北大学学报（自然科学版）》2010年第4期418-421,共4页黄鹤 章天金 潘瑞琨 陈仁 范生强 
国家自然科学基金项目(50672022);湖北省耐火材料与高温陶瓷重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地项目(G0701)资助
采用sol-gel法在SiO2/Si衬底上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)薄膜.利用湿法化学刻蚀技术对BST薄膜进行图形化.通过实验结果对比,选择HF/HNO3/H2O2/H2O(体积比为1∶20∶50∶20)的混合液作为最佳刻蚀液.扫描电镜(SEM)结果表明,刻蚀后BST薄膜...
关键词：钛酸锶钡 湿法化学刻蚀 溶胶凝胶法 工艺优化 应用 
InSb晶片湿法化学刻蚀研究被引量：8
《激光与红外》2008年第9期899-901,共3页韦书领 应明炯 
随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FP...
关键词：红外探测器 焦平面 湿法刻蚀 锑化铟 
用于微传感器中PZT压电薄膜的制备和图形化被引量：3
《压电与声光》2008年第4期453-455,共3页娄利飞 杨银堂 李跃进 
国家自然科学基金资助项目(90207022);武器装备预研基金资助项目(51411040105DZ0141)
采用溶胶-凝胶法在Si/Si3N4/Poly-Si/Ti/Pt基片上制备PZT压电薄膜,为了选择更适合微电子机械系统(MEMS)器件的压电薄膜,采用一般热处理和快速热处理对锆钛酸铅(PZT)压电薄膜进行干燥和结晶。首先,采用V(H2O):V(HCL):V(HF)=280 mL:120 mL...
关键词：锆钛酸铅(PZT) 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀 
硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第5期778-782,共5页娄利飞 杨银堂 李跃进 张萍 
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细...
关键词：锆钛酸铅 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀 
利用线性液膜的红外热像测定YBCO的湿法化学刻蚀启动时长
《光学学报》2007年第6期1039-1043,共5页刘霖 叶玉堂 吴云峰 刘娟秀 方亮 陆佳佳 
国家自然科学基金(60277008);教育部重点项目(03147);国防科技重点实验室基金(9140C1406020708);四川省科技厅(04GG021-020-01)资助课题
提出了一种测定YBCO（YBa2Cu3O7-x）高温超导薄膜湿法腐蚀启动时长的红外热像新方法。该方法的实质是利用YBCO腐蚀时必然有化学热吸收或释放,从而引起YBCO表面液膜温度变化这一特点,通过红外热像实时监测系统,采集液膜温度变化过程的红...
关键词：薄膜光学 红外热像 化学腐蚀 启动时长 钇钡铜氧 
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