用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率  

Measurement of positron mobility in Si by slow positron beam

作　　者：周先意[1] 朱凯[1] 叶邦角[1] 张天昊[1] 周永钊[1] 杜江峰[1] 张宪锋[1] 韩荣典[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学

出　　处：《核技术》2000年第4期209-212,共4页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金!19745002和19875050;教育部留学回国人员科研资助费;中国科学院院长基金

摘　　要：用单能慢正电子束流作为探针，测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律，观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积，但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。In order to study how impurities effect the parameters of positron spectroscopy, a series of Si crystals with different impurity concentrations have been investigated by using slow positron beam. The results show that doping does not effect the open volume of the defects but the mobility of positron does decrease with increasing doping concentration.

关 键 词：正电子迁移率 杂质 慢正电子 P型硅半导体 

分 类 号：O474[理学—半导体物理]