叶邦角

作品数:69被引量:139H指数:6
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发文领域:理学核科学技术自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
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ZIFs纳米晶体中电子偶素的自旋转换
《物理学报》2022年第15期257-264,共8页李重阳 李梦德 汪美 李涛 刘建党 叶邦角 陈志权 
国家重点研发计划(批准号:2019YFA0210000);国家自然科学基金(批准号:11875248,12175232)资助的课题。
ZIFs晶体由咪唑基桥接单金属离子构成,可通过咪唑酯连接物灵活选取合适的官能团对其结构进行调控,因而被赋予更多新的性质和功能.ZIFs晶体中孔结构及其化学环境与其性能紧密相关.本文采用静置法制备了ZIFs纳米晶体.X射线衍射结果证实制...
关键词:正电子湮没寿命 电子偶素 多普勒展宽 自旋转换 
基于Geant4的慢正电子束注入金属材料的模拟研究被引量:1
《中国科学技术大学学报》2020年第2期236-242,共7页孟飞 潘子文 叶邦角 
国家自然科学基金(11475165)资助.
用Geant4软件对慢正电子束注入金属材料的过程进行了模拟,模拟计算了正电子垂直入射与倾斜入射金属材料的背散射系数,得到了倾斜入射条件下正电子深度分布曲线及入射倾角与正电子背散射系数的关系曲线,同时进一步分析了不同入射倾角条...
关键词:背散射系数 GEANT4 倾斜入射 横向扩散 
μSR谱仪前端电子学原型设计
《核电子学与探测技术》2017年第5期463-467,473,共6页庄淼清 邓凡水 梁昊 叶邦角 唐靖宇 
国家自然科学基金(11527811)资助
介绍了μSR谱仪前端电子学原型的设计。利用无延迟线恒比定时电路在单宽NIM插件上实现了8路恒比定时甄别器。测试结果表明:设计电路幅度时间游动不大于255 ps,不同通道间延时的标准差为19.7 ps,前端电子学定时误差约为55 ps。前端电子...
关键词:μSR谱仪 恒比定时甄别器 时间游动 定时误差 
基于固体靶的D-T和D-D中子源特性模拟计算
《核动力工程》2017年第S1期8-12,共5页秦建国 赖财锋 鹿心鑫 朱通华 叶邦角 刘荣 蒋励 王玫 
国家自然科学基金(11575165)
基于氚(氘)钛固体靶,利用TARGET程序结合实际的氚(氘)靶和靶室建模,对D-T中子和D-D中子的能量和微分截面角分布、氘离子能量损失率和平均能量、中子平均能量和能散、反应率在氚(氘)钛靶中的深度分布、中子注量率谱和中子产额进行了计算...
关键词:D-T中子 D-D中子 角分布 反应率 中子产额 
退火对金属介质多层膜的界面扩散及抗化学清洗性能的影响被引量:2
《中国激光》2016年第10期133-139,共7页张洪 晋云霞 孔钒宇 黄昊鹏 崔云 胡国行 李响潭 葛雯娜 叶邦角 
国家自然科学基金(61405225;61405219)
对金属介质多层膜样品进行不同温度的退火处理。实验发现,当退火温度为350℃时,在样品Au层与SiO_2层的界面处出现过渡层,样品具有很强的抗化学清洗能力。利用透射电子显微镜观测与能谱仪分析发现,过渡层的出现主要是Cr原子从Au层底部扩...
关键词:材料 界面扩散 化学清洗 退火 粘附力 
氘化对KH_2PO_4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究
《物理学报》2015年第9期501-506,共6页张丽娟 张传超 廖威 刘建党 谷冰川 袁晓东 叶邦角 
国家自然科学基金(批准号:11175171)和国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11404301)资助的课题~~
采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内...
关键词:正电子湮没 KH2PO4晶体 氘化 微观缺陷 
大俘获立体角的内靶超导螺线管表面muon源的设计研究
《原子核物理评论》2014年第4期468-474,共7页肖冉 刘艳芬 许文贞 谭宗泉 成斌 孔伟 叶邦角 
国家自然科学基金(11075154);中央高校基本科研业务费专项资金资助(WK2030040035)~~
高通量μ子源是国际上μ子科学研究的重要条件。在中国散裂中子源的高能质子应用区中,运用蒙特卡罗工具Geant4和G4beamline软件设计了使用内靶超导螺线管俘获高通量表面μ子的束线。与传统的分离靶和基于四极磁铁的收集系统相比,大孔径...
关键词:高通量表面μ源 超导螺线管 中国散裂中子源 GEANT4 束流光学 
完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的分析与比较
《物理学报》2014年第21期364-373,共10页黄世娟 张文帅 刘建党 张杰 李骏 叶邦角 
国家自然科学基金(批准号:11175171,11105139)资助的课题~~
以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应用,它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感,因此,理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数据的结合分析显得尤为重要.采用中性原...
关键词:正电子体寿命 完美晶体 正电子电子关联势 增强因子 
非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)(ST-BT)的正电子湮没谱学研究被引量:3
《物理学报》2012年第23期484-489,共6页张丽娟 王力海 刘建党 李强 成斌 张杰 安然 赵明磊 叶邦角 
国家自然科学基金重点项目(批准号:10835006);国家自然科学基金(批准号:51172129);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11105139)资助的课题~~
采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)(ST-BT),利用正电子湮没技术,对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究,讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征,给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结...
关键词:正电子寿命谱 非铁电压电陶瓷 烧结温度 缺陷结构 
正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用被引量:2
《中国科学:物理学、力学、天文学》2012年第11期1217-1225,共9页张礼红 成斌 张杰 张丽娟 郭卫锋 刘建党 张礼楠 叶邦角 
国家自然科学基金资助项目(批准号:11175171;11105139;10835006)
特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展...
关键词:正电子谱学 微结构 功能材料 缺陷 
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