分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究  

Investigation of defects of molecular beam epitaxial Si by slow positron beam

作　　者：周先意[1,2] 周先意[1,2] 朱凯[1] 张天昊[1] 杜江峰[1] 叶邦角[1] 周永钊[1] 韩荣典 

机构地区：[1]中国科学技术大学,合肥230026 [2]中国科学院国际材料物理中心,沈阳110015

出　　处：《核技术》2000年第2期69-73,共5页Nuclear Techniques

基　　金：教育部留学回国人员科研资助费;国家自然科学基金!1974500;19875050;中国科学院院长基金

摘　　要：用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低，膜中将会含有大量的空位型缺陷；温度太高，杂质在材料中会有明显的扩散行为，对产品性能产生较大的影响。The slow positron beam was used to study the defects in the MBE(molecular beam epitaxial) Si. The relations between the quality of the MBE Si and the growth temperature as well as the thickness were discussed. It is concluded that the optimum growth temperature for several-hundred-nanometer MBE Si is about 500℃; and if the temperature is too high (about 700℃ ), the enhanced diffusion of antimony will greatly effect the property of the Si material.

关 键 词：分子束外延硅 缺陷 无损检测 慢正电子束 硅薄膜 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理] O474[理学—物理]