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机构地区:[1]武汉大学物理学系,湖北武汉430072 [2]中国科学院武汉数学与物理研究所,湖北武汉430071
出 处:《武汉大学学报(自然科学版)》2000年第5期603-607,共5页Journal of Wuhan University(Natural Science Edition)
基 金:中国科学院武汉数学与物理研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室开放基金资助项目!( 9815 10 )
摘 要:介绍了一种被称为量子点量子阱 (Quantum- dot quantum wells简称 QDQWs)的新型半导体材料 ,并为其建立了合适的计算模型 .再以 B样条为展开基函数 ,采用变分法对其进行了计算 ,得到了量子点量子阱中氢原子能谱 .计算结果表明 ,当 QDQW的半径 (或核半径 )增大时 ,给体能级随之减小并逐步陷入小阱深度内 .因此只要适当地改变这种新材料的周期性 ,则施主粒子的波函数、能量等性质就可以人为控制 ,从而可进一步控制半导体材料的光学性能 .同时 。We introduce a new kind of semiconducter material named quantum- dot quantum wells ( QDQWs) and establish a proper mathematical model for it.After that,we introduce a sort of expansion function celled B- spline and analogise it's normal quality.Then we use terms of B- spline as the expansion function and linearvariational method for the calculation of the model of QDQWs.The results shows that, with in increasing of the radius of QDQWs or the radius of the core,the donor's energy decrease and sink into wells'potential gradually.So we can control the donors'quality such as wave funcion and energy by changing the cirlce of this new material,thus we can control the optics quality of the semiconducter ulteriorly.At the same time,we know that the terms of B- splines is fairly properfor the calculation of the wave funcion and energy in a finite length.
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