不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响  

The Impact of Different Impact Ionization Model on the Breakdown Voltage Simulation

作　　者：魏峰[1] 吴郁[1] 吴立成[1] 周东海[1] 李立[1] 

机构地区：[1]北京工业大学功率半导体器件实验室

出　　处：《电力电子》2013年第3期38-40,18,共4页Power Electronics

摘　　要：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

关 键 词：场环场板 多级场板 击穿电压 碰撞电离 驱动场 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]