吴立成

作品数：6被引量：3H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：快恢复二极管场板SIC变流器击穿电压更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《电力电子》《电源世界》《电力电子技术》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目更多>>
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改善高压FRD结终端电流丝化的新结构被引量：1
《电子科技》2013年第10期98-100,104,共4页吴立成 吴郁 魏峰 贾云鹏 胡冬青 金锐 査祎影 
国家自然科学资金资助项目(61176071);国家电网公司科技基金资助项目(SGRI-WD-71-13-006);教育部博士点基金新教师基金资助项目(2011110312001)
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性。结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优。...
关键词：快恢复二极管 动态雪崩 电流丝 终端结构 
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析被引量：2
《半导体技术》2013年第8期629-634,共6页魏峰 吴郁 周新田 周东海 吴立成 贾云鹏 胡冬青 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(2011110312001);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以...
关键词：静电放电(ESD) 快恢复二极管(FRD) 人体模型(HBM) 雪崩注入 临界场 强 背景掺杂 
不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响
《电力电子》2013年第3期38-40,18,共4页魏峰 吴郁 吴立成 周东海 李立 
半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱...
关键词：场环场板 多级场板 击穿电压 碰撞电离 驱动场 
应用SiC混合模块的牵引逆变器
《电源世界》2012年第6期29-32,共4页周东海 吴立成 Kazutoshi Ogawa Katsumi Ishikawa Norihumi Kameshiro Hidekatsu Onose Masahiro Nagasu Hitachi  J 
研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A混合模块。通过采用混合模块和高速驱动电路,我们试图降低反向恢复损耗及开通功率损耗。同时,我们估算变...
关键词：高速驱动电路 变流器 SIC 
梯形侧壁槽结构超结MOSFET的仿真研究
《电力电子技术》2012年第12期84-86,共3页李立 胡冬青 周东海 吴立成 
国家自然科学基金(61176071)~~
仿真研究了垂直侧壁槽(Type1)和梯形侧壁槽(Type2和Type3)600 V超结金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)击穿电压随电荷失衡的变化关系。在p柱、n柱均匀掺杂条件下,Type1具有最高峰值击穿电压,出现在p柱、n柱掺杂浓度相等条件下;Type2...
关键词：金属氧化层半导体场效晶体管 梯形侧壁 击穿电压 
应用SiC混合模块的牵引逆变器
《电力电子》2012年第1期20-23,51,共5页Kazutoshi Ogawa Katsumi Ishikawa Norihumi Kameshiro Hidekatsu Onose Masahiro Nagasu Hitachi J 周东海 吴立成 
研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A混合模块。通过采用混合模块和高速驱动电路,我们试图降低反向恢复损耗及开通功率损耗。同时,我们估算变...
关键词：高速驱动电路 变流器 SIC 
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