GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续)  

Slow Transport Electron States in GaN HFET Channel and Radio Frequency Current Collapse (Continued)

作　　者：薛舫时[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2013年第4期305-311,共7页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130)

摘　　要：3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是在解释射频电流崩塌时,既然射频输出功率低于直流伏安特性算出的预期功率,就必须证明外沟道的射频电阻大于直流电阻，因为外沟道势垒表面没有电极，所以内沟道夹断时外沟道电子只能靠陷阱俘获电子来耗尽。沟道电子从强电场中获取能量成为高能热电子，再跃迁到表面陷阱，是一个很复杂的过程，实验测量表明需要秒量级的弛豫时间，跟不上射频周期变化，这样外沟道中的射频电阻就不可能低于直流电阻，也就不会产生很强的射频电流崩塌。

关 键 词：电流崩塌 电子态 沟道 射频 HFET GAN 表面陷阱 直流电阻 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]