SiO_2膜增强InGaAsP超晶格外延片的量子阱混合  

SiO_2 Encapsulant Enhanced Quantum Well Intermixing for InGaAsP Superlattice\+*

作　　者：黄晓东[1] 黄德修[1] 刘雪峰[1] 

机构地区：[1]华中理工大学光电子工程系,武汉430074

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第11期1107-1110,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目! (批准号 695860 0 2 )&&

摘　　要：对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .Impurity Free Vacancy Diffusion (IFVD) technology on InGaAsP superlattice, which latticematches InP, is investigated experimentally, with SiO\-2 deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition and rapid thermal annealing proceeded with iodine tungsten lamp. Up to 50nm blue shift of photoluminescence spectrum is observed, which shows IFVD has a capacity to treat QWs even without any impurities or strain. Factors are also discussed, that will affect the repetition of IFVD.

关 键 词：超晶格材料 INGAASP 量子阱混合 二氧化硅 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]