金属诱导低温制备多晶硅薄膜工艺新进展  

New Progress of Low-Temperature Metal-Induced Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film

作　　者：杨奕凡[1,2] 李亚莉[1,2] 宋化雨[1,2] 郝会颖[1] 邢杰[1] 董敬敬[1] 

机构地区：[1]中国地质大学(北京)数理学院,北京市海淀区学院路29号100083 [2]中国地质大学(北京)材料科学与工程学院,北京市海淀区学院路29号100083

出　　处：《光谱实验室》2013年第5期2246-2250,共5页Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory

基　　金：中国地质大学(北京)大学生A类创新实验项目(2012AG0078);中央高校基本科研业务费项目(2012070)

摘　　要：多晶硅薄膜由于兼具稳定性、高光敏性、便于大面积沉积等优势成为目前光伏领域的研究热点。本文综述了近几年金属诱导非晶硅薄膜晶化的新工艺,介绍了各种工艺条件对多晶硅薄膜材料的结构、金属含量的调控规律。最后展望了未来的发展趋势。The polycrystalline film has become the research hotspot in the field of photovoltaic due to stability, high photosensitivity and easy Large-area deposition. The new progress of metal- induced crystallization of amorphous silicon thin film technology was introduced, and the controlling regulation of process conditions on the polycrystalline silicon thin-film materials structure and the metal content was analysed. Finally, the development prospect of this technology was estimated.

关 键 词：金属诱导晶化 非晶硅 多晶硅薄膜 

分 类 号：O433.59[机械工程—光学工程]