多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展  

作　　者：李海博[1] 尹延昭[1] 郑丽[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江哈尔滨150001

出　　处：《科技创新与应用》2014年第2期8-10,共3页Technology Innovation and Application

摘　　要：多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低,效率稳定性好、光电转换效率高,多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造,其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法,结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜,根据多晶硅压阻特性理论进行了LPCVD纳米薄膜工艺试验,研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,选取了优化的工艺条件,为多晶硅纳米薄膜在今后压阻式压力传感器中的应用奠定基础。

关 键 词：多晶硅 压阻特性 纳米薄膜 应变系数 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]