惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备  

Fabrication of silicon microstructure for ICF target

作　　者：张继成[1] 罗跃川[1] 马志波[2] 杨苗[2] 周民杰[1] 李佳[1] 吴卫东[1] 唐永建[1] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900 [2]西北工业大学微/纳米系统实验室,西安710072

出　　处：《强激光与粒子束》2013年第12期3251-3254,共4页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国家自然科学基金项目(60908023);四川省非金属复合与功能材料重点实验室开放基金项目(11zxfk19;10zxfk34)

摘　　要：论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂的侧壁陡直度大于88°,卡爪径向形变量大于20μm,符合靶的设计要求。Silicon flexure microstructure has very important function for supporting and cooling roles in ICF target. In this paper, a silicon arm is fabricated using deep reactive ion etching（DRIE） method. The results of scanning electron microscopy （SEM）, white light interferometer and optical microscopy measurement show that the Si microstructure has a smooth surface and vertical sidewalls, the angle of vertical sidewall is nearly 88 degrees. The displacement of silicon flexure microstructure along ra- dial direction is more than 20 μm.

关 键 词：惯性约束聚变靶 硅支撑冷却臂 反应离子深刻蚀 

分 类 号：TQ177[化学工程—硅酸盐工业]