反应离子深刻蚀

作品数：11被引量：28H指数：4
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者：杨春生丁桂甫张丛春黄龙旺姜建东更多>>
相关机构：上海交通大学复旦大学中国科学院东南大学更多>>
相关期刊：《传感器世界》《电子学报》《真空科学与技术学报》《强激光与粒子束》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国防科技技术预先研究基金四川省非金属复合与功能材料重点实验室一省部共建国家重点实验室培育基地开放基金更多>>
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惯性约束聚变靶中硅支撑冷却臂的制备被引量：1
《强激光与粒子束》2013年第12期3251-3254,共4页张继成 罗跃川 马志波 杨苗 周民杰 李佳 吴卫东 唐永建 
国家自然科学基金项目(60908023);四川省非金属复合与功能材料重点实验室开放基金项目(11zxfk19;10zxfk34)
论述了基于反应离子深刻蚀技术加工惯性约束聚变(ICF)靶的硅支撑冷却臂。利用扫描电子显微镜、白光干涉仪和视觉显微系统等对所制备的硅支撑冷却臂的形貌、侧壁陡直度和卡爪径向形变量等参数进行了表征分析。分析结果表明,硅支撑冷却臂...
关键词：惯性约束聚变靶 硅支撑冷却臂 反应离子深刻蚀 
解耦z轴微机械陀螺的研制被引量：4
《光学精密工程》2011年第9期2123-2130,共8页周浩 苏伟 刘显学 唐海林 
国防预研基金资助项目
提出了一种检测模态解耦的z轴微机械陀螺,其检测模态被约束为1自由度振动,可抑制驱动模态的影响,降低不期望的检测模态偏置,并使用双质量结构在降低模态耦合的同时获得了较好的模态频率匹配。为满足驱动和检测模态自由度约束要求,使用了...
关键词：微机械陀螺 机械解耦 反应离子深刻蚀 
反应离子深刻蚀中加强热传递和抑制Notching效应的方法被引量：2
《电子学报》2010年第5期1201-1204,共4页丁海涛 杨振川 闫桂珍 
国家自然科学基金重点项目(No.NSF50730009)
提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验...
关键词：反应离子深刻蚀 热传递 notching效应 
MEMS硅膜电容式气象压力传感器的研制被引量：4
《微纳电子技术》2007年第7期249-251,278,共4页庞程 赵湛 杜利东 
基于MEMS的电容式压力传感器以其低成本高性能在气象测量中有着广阔的应用前景。利用ANSYS软件模拟接触式电容压力传感器的工作状态,得到硅膜的形变和应力分布状况。制作流程采用简单标准的工艺:利用KOH各向异性腐蚀进行硅片大面积、大...
关键词：电容压力传感器 各向异性腐蚀 阳极键合 反应离子深刻蚀 
MEMS工艺中反应离子深刻蚀硅片的数值模型研究被引量：7
《传感技术学报》2006年第05A期1426-1429,1433,共5页张鉴 黄庆安 李伟华 
国家杰出青年科学基金资助课题(50325519)
反应离子深刻蚀(DRIE)是目前MEMS加工中便捷有效的主流加工工艺之一.开发较为快捷有效的工艺仿真模型与工具,对于工艺的数值预报,有着重要的作用.通过对现有表面演化算法的比较,建立了一种基于单一表面演化算法的反应离子深刻蚀模型,有...
关键词：反应离子深刻蚀 表面演化算法 模型 仿真 
PMMA的反应离子深刻蚀被引量：2
《真空科学与技术学报》2004年第2期157-160,共4页张丛春 杨春生 丁桂甫 黄龙旺 
国家自然科学基金 (No .5 0 0 75 0 5 5 )
对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保...
关键词：PMMA 反应离子刻蚀 比微结构 刻蚀气体 钻蚀 HGA技术 
有机玻璃的反应离子深刻蚀被引量：1
《上海交通大学学报》2004年第z1期118-121,共4页张丛春 杨春生 丁桂甫 毛海平 倪智萍 
国家自然科学基金资助项目(50075055)
以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压...
关键词：反应离子刻蚀 有机玻璃 微结构 微机电系统 
O_(2)反应离子深刻蚀PMMA被引量：5
《微细加工技术》2000年第3期39-43,共5页俞爱斌 丁桂甫 杨春生 郭晓芸 李昌敏 毛海平 倪智萍 
高深宽比结构是提高微器件性能的重要环节之一。利用RIE深刻技术加工具有高深宽比结构的图形 ,方法简单 :它不象LIGA技术那样 ,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板 ,对光刻胶的要求也不是特别高 ,利用这种技术深刻蚀PMMA膜 ,以Ni作掩...
关键词：反应离子刻蚀 高深宽比 微结构 PMMA 
反应离子深刻蚀(RIE)技术的研究被引量：6
《传感器世界》1996年第5期31-35,46,共5页孙承龙 戈肖鸿 王渭源 姜建东 
本文概述了微机械的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用.采用NF_3T SF_6/CCI_2F_2混合气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,对硅进行了反应离子深刻蚀的研究,获得了一批经验数据.研制出了直径500μm,厚度为24.7μm的微型硅齿轮...
关键词：反应离子深刻蚀 微机械 硅 蚀刻 微型机器人 
反应离子深刻蚀硅的研究
《传感技术学报》1995年第3期13-17,共5页姜建东 孙承龙 王渭源 王德宁 
国家"八五科技攻关"项目资助
利用ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５，ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２，ＳＦ６／ＣＣＬ２Ｆ２／Ｏ２等氟氯族混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀系统上，进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Ｃｒ膜的掩护下，ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５刻蚀硅的速度，但刻蚀的...
关键词：反应离子刻蚀 硅 刻蚀 
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