反应离子深刻蚀(RIE)技术的研究  

Research on Deep Reactive Ion Etching Technology

作　　者：孙承龙[1] 戈肖鸿[1] 王渭源[1] 姜建东[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所 [2]复旦大学

出　　处：《传感器世界》1996年第5期31-35,46,共5页Sensor World

摘　　要：本文概述了微机械的发展前景和反应离子刻蚀技术在微机械研究中的应用.采用NF_3T SF_6/CCI_2F_2混合气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,对硅进行了反应离子深刻蚀的研究,获得了一批经验数据.研制出了直径500μm,厚度为24.7μm的微型硅齿轮,刻蚀出厚度为50μm,侧向腐蚀为2μm的硅微细圆形.The developing prospects on micromechanic and application of reactive ion etching technology in micromechanic study is briefly presented. Deep reactive ion etching for silicon with NF3 and SF6/CC12F2 gas mixture on a parralell plate etcher is reported. The si gairs with a diametre of 500μm and a thiehness of 24. 7μm were fabricated. The Si micropat-tern with thickness of 50μm and side-etching (lateral etching ) of 2μm were abtained.

关 键 词：反应离子深刻蚀 微机械 硅 蚀刻 微型机器人 

分 类 号：TH－39[机械工程] TN305.2[电子电信—物理电子学]