新型750WRF晶体管：RF晶体管  

出　　处：《世界电子元器件》2013年第12期28-28,共1页Global Electronics China

摘　　要：Microsemi推出新型750WRF晶体管扩展其基于碳化硅（siliconcarbide，SiC）衬底氮化镓（galliumnitride，GaN）高电子迁移率晶体管（highelectronmobifitytransistor，HEMT）技术的射频（radiofrequency，RF）功率晶体管系列。

关 键 词：RF晶体管 高电子迁移率晶体管 功率晶体 碳化硅 氮化镓 衬底 射频 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]