RF晶体管

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瑞萨电子宣布于2018年停产微波器件
《中国集成电路》2016年第9期7-7,共1页
瑞萨电子（RenesasElectronics）日前宣布将抛弃微波（microwave）器件业务，计划在2018年夏天停止微波器件的生产与供应；而该公司透露，其微波器件部门已经暂停产品开发有一段时间。微波器件是瑞萨曾经大力推动采用化合物半导体材料...
关键词：微波器件 电子 化合物半导体材料 停产 产品开发 业务部门 RF晶体管 无线设备 
Qorvo新推出的塑料封装GaN RF晶体管,可降低X波段雷达成本
《半导体信息》2015年第5期19-20,共2页郑畅 
Qorvo,Inc.推出三款采用低成本塑料封装的GaN RF晶体管,这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性,可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。Qorvo航空航天和国防产品总经理Roger Hall表示:"Qorvo不断扩展低成本QFN塑料封装GaN...
关键词：塑料封装 X波段 Qorvo GAN RF 产品总经理 民用船舶 航空电子 雷达系统 航空航天 基础 
美业者开发超低功耗碳材料RF晶体管
《半导体信息》2014年第6期6-6,共1页郑畅 
如果我们的智慧型手机可以一个礼拜充电一次,那该有多好?一家来自美国加州洛杉矶附近滨海小城Marina del Ray的公司Carbonics所开发的技术,可望能让我们实现以上梦想。Carbonics执行长Kos Galatsis表示,若只是一味地微缩半导体制程,对...
关键词：半导体元件 RF MARINA 执行长 智慧型 碳纳米材料 碳材料 晶圆代工厂 收发器 电子迁移率 
新型750WRF晶体管：RF晶体管
《世界电子元器件》2013年第12期28-28,共1页
Microsemi推出新型750WRF晶体管扩展其基于碳化硅（siliconcarbide，SiC）衬底氮化镓（galliumnitride，GaN）高电子迁移率晶体管（highelectronmobifitytransistor，HEMT）技术的射频（radiofrequency，RF）功率晶体管系列。
关键词：RF晶体管 高电子迁移率晶体管 功率晶体 碳化硅 氮化镓 衬底 射频 
Microsemi发布用于二次监视雷达航空应用的RF晶体管
《单片机与嵌入式系统应用》2012年第11期87-87,共1页
美高森美公司（Microsemi Corporation）推出用于大功率航空交通管制、二次监视无线电应用的射频（RF）晶体管系列中的产品1011GN-700ELM。SSR用于发送信息至装备有雷达应答器的飞机并收集信息，允许航空交通控制系统识别、跟踪和测量...
关键词：RF晶体管 航空应用 二次监视雷达 航空交通管制 交通控制系统 峰值功率 雷达应答器 碳化硅衬底 
用于二次监视雷达航空应用的RF晶体管
《今日电子》2012年第10期67-67,共1页
1011GN-700ELM是一款用于大功率航空交通管制、二次监视无线电（secondary surveillance radio，SSR）应用的射频（RF）晶体管系列中的首款产品。SSR用于把信息发送给装备有雷达应答器的飞机并收集信息，允许航空交通控制系统识别、跟...
关键词：RF晶体管 航空应用 二次监视雷达 航空交通管制 交通控制系统 信息发送 雷达应答器 大功率 
TriQuint推出高功率“绿色”基站RF晶体管放大器系列
《中国电子商情》2010年第6期92-92,共1页
TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G／4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。
关键词：无线基站 “绿色” 放大器 晶体管 功率 射频集成电路 半导体公司 网络运营商 
TriQuint推出绿色基站RF晶体管放大器系列
《电子与电脑》2010年第6期94-94,共1页
TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G／4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络基站放大器的所需...
关键词：晶体管放大器 无线基站 网络运营商 RF 射频集成电路 半导体公司 绿色环保 智能手机 
TriQuint展示其具革命性的高功率宽带RF晶体管
《半导体信息》2009年第4期2-,共1页陈裕权 
关键词：晶体管 半导体三极管 TRIQUINT RF 宽带 革命性 
创记录大功率SiC器件增强雷达性能
《现代材料动态》2009年第2期9-9,共1页邓志杰（摘译） 
Microsemi公司报道，已制出功率最高的RF晶体管应用于VHF（极高频）和UHF（超高频）雷达。这种2kW级静态感应晶体管（SIT）是2008年10月问世的。SiC的临界电场比Si高一个数量级，这使SiC晶体管能在相当高的偏压下工作。该公司采用直径3...
关键词：雷达性能 大功率 IC器件 RF晶体管 SiC 临界电场 超高频 UHF 
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