柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展  

Progress of flexible organic non-volatile memory field-effect transistors

作　　者：柴玉华[1] 郭玉秀[1,2] 卞伟[2] 李雯[2] 杨涛[2] 仪明东[2] 范曲立[2] 解令海[2] 黄维[2,3] 

机构地区：[1]东北农业大学电气与信息学院,哈尔滨150030 [2]南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院,南京210023 [3]南京工业大学先进材料研究院,南京211816

出　　处：《物理学报》2014年第2期259-275,共17页Acta Physica Sinica

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB723402);国家自然科学基金(批准号:61204095;61136003;21144004);中国博士后科学基金(批准号:20070410883);教育部博士点基金(批准号:20113223120003);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012431);黑龙江省博士后基金(批准号:BH-Z07233);黑龙江省自然科学基金重点项目(批准号:ZD201303);江苏省高校自然科学基础研究面上项目(批准号:11KJB510017);南京邮电大学人才科研启动基金(批准号:NY211022)资助的课题~~

摘　　要：柔性有机非易失性场效应晶体管存储器具有柔性、质轻、成本低、可低温及大面积加工等优点,在射频识别标签、柔性存储、柔性集成电路和大面积柔性显示等领域展现出巨大的应用前景.本文在介绍柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的衬底材料、器件结构和性能参数的基础上,总结了柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的分类,并讨论了机械应力和不同温度对柔性有机非易失性场效应晶体管存储器性能参数的影响,最后展望了柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的应用前景以及所面临的挑战.Flexible organic non-volatile memory field-effect transistors （ONVMFETs） are promising candidates in the field of flexible organic electronic devices, which can be used in flexible radio frequency tags, memories, integrated circuits and large-area displays, because of their remarkable advantages such as flexibility, lightweight, low cost and large-area organic electronics. On the basis of the introduction of the development of flexible ONVMFETs in terms of substrates, structures and characteristics, the classification of flexible ONVMFETs is summarized. Meanwhile, we discuss the effects of mechanical stress and temperature on the performance of flexible ONVMFET. Finally, some prospects as well as the challenges are pointed out.

关 键 词：柔性 晶体管 非易失性 存储 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]