第四代微电子封装技术-TVS技术及其发展  

作　　者：罗艳碧[1] 

机构地区：[1]大理学院工程学院信息技术教研室,云南大理671000

出　　处：《科技创新与应用》2014年第7期3-4,共2页Technology Innovation and Application

摘　　要：随着微电子制造由二维向三维发展,三维芯片堆叠的封装方式成为发展的必然方向。但是使用传统金线键合的三维电路封装技术不仅会占用大量空间,同时会增加能耗、降低运行速度。因此,可实现芯片直接互联的TSV技术孕育而生。TSV技术可以使微电子封装达到最密连接,三维尺寸达到最小;同时TSV技术降低了连接长度,可有效降低芯片能耗,提高运行速度。在DRAM芯片制造中使用TSV技术可以使IC器件的性能大幅度提高,其中基于TSV技术开发的混合存储立方体(HMC)可以使存储器性能提高20倍,而体积和能耗缩小到原有1/10。但由于TSV技术本身的缺点使其商业化过程步履艰难。而TSV技术最大的缺点还是在于成本太高。

关 键 词：微电子封装 金属化 键合 

分 类 号：TN405.94[电子电信—微电子学与固体电子学]