一种基于SOI的抗单粒子效应锁相环设计  

Design of an SEE Hardened Phase Locked Loop Based on SOI

作　　者：张筱颖[1,2] 张玲[2] 周理想[1,2] 于宗光[1,2] 

机构地区：[1]江南大学物联网工程学院,江苏无锡214122 [2]中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡214035

出　　处：《微电子学》2014年第1期38-42,共5页Microelectronics

基　　金：江苏省333人才工程科研项目资助(BRA2011115)

摘　　要：基于0.5μm SOI工艺,设计了一种具有抗单粒子效应的锁相环。重点对压控振荡器进行抗辐照加固,采用电流源放大器实现。与普通结构相比,提高了锁相环在辐照环境下的稳定性。该锁相环最高输出频率达到80MHz,动态电流为12.23mA,抗单粒子效应能力大于37 MeV·cm2/mg。A phase-locked loop （PLL） with single event effect （SEE） hardness was designed based on SOI technology. In this circuit, an SEE hardened voltage-controlled oscillator was designed using current steering amplifier （CSA）, which made the PLL more stable in radiation environment, compared with conventional structures. Fabricated in 0. 5 μm CMOS process, the PLL achieved a maximum output frequency up to 80 MHz, a dynamic current of 12. 23 mA, and a SEE hardness above 37 MeV ·cm2/mg.

关 键 词：绝缘体上硅 锁相环 单粒子效应 抗辐照 压控振荡器 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]