SiC薄膜高温压力传感器  

High temperature pressure sensor based on SiC films

作　　者：朱作云[1] 李跃进[1] 杨银堂[1] 柴常春[1] 贾护军[1] 韩小亮[1] 王文襄 刘秀娥 王麦广 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,陕西西安710071 [2]宝鸡传感器研究所,陕西宝鸡721001

出　　处：《传感器技术》2001年第2期1-3,共3页Journal of Transducer Technology

摘　　要：SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。SiC is an ideal material for manufacturing higy temperature pressure sensor.The films of cubic SiC are heteroepitaxially grown on Si substrates for SiC high temperature pressure sensor.The characteristics,structure,manufacture and results of some types of SiC pressure sensors are briefly introduced.

关 键 词：压力传感器 碳化硅 薄膜 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]