原子层沉积生长速率的控制研究进展  

Research Progress on Growth Rate Controlling of Atomic Layer Deposition

作　　者：卢维尔[1] 董亚斌[1,2] 李超波[1] 夏洋[1] 李楠[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029 [2]中国科学院大学,北京100190

出　　处：《无机材料学报》2014年第4期345-351,共7页Journal of Inorganic Materials

基　　金：中国科学院科研装备研制项目(Y3YZ028001)~~

摘　　要：原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。Based on the self-limiting nature of sequential surface chemical reaction, atomic layer deposition （ALD） technique could grow films layer by layer. ALD has advantages of low growth temperature, precise thickness controllability, good conformity and uniformity. Therefore, it becomes a primary method for preparing thin films. As a key indicator of ALD technique, the growth rate of film plays an important role not only on the film quality and density, but also on the integrated circuit production efficiency. This paper reviews the recent research results of the ALD growth mechanism and rate, and the factors that affect the growth rate. Finally, this paper provides a summary and some research trends on improving and optimizing the ALD growth rate.

关 键 词：原子层沉积 生长速率 生长机制 位阻效应 

分 类 号：TQ174[化学工程—陶瓷工业]