非对称结构大功率940nm量子阱激光器  

High power 940 nm quantum well laser with asymmetric structure

作　　者：蒋锴[1] 李沛旭 张新 汤庆敏 夏伟[1,2] 徐现刚[1,2] 

机构地区：[1]晶体材料国家重点实验室(山东大学),济南250100 [2]山东华光光电子有限公司,济南250101

出　　处：《强激光与粒子束》2014年第5期110-114,共5页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：国家高技术发展计划项目;国家基础研究计划项目(2011CB301904;2009CB930503);国家自然科学基金项目(51021062;11134006)

摘　　要：为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm^(-1)。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940 nm半导体激光器器件。25℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。In order to improve the performance of the general broad area high power 940 nm InGaAs/GaAs semiconductor laser diode （LD）, we design a new type quantum well LD with an asymmetric waveguide and cladding structure. High material quality with low internal loss of 0.44 mm-1 has been achieved using low pressure metal organic chemical vapor deposition （LP- MOCVD） method. Broad-area lasers were fabricated with the wafers grown on GaAs substrates. For the 940 nm devices with 100 ttm-wide stripe and 2000 μm-long cavity under 25 ℃ continuous wave （CW） operation condition of 10 A, the typical threshold current is 251 mA, the slope efficiency is 1.22 W/A , and the maximum output power reaches 9.6 W. The laser diode yielded a maximum power conversion efficiency over 70%.

关 键 词：量子阱激光器 大功率 非对称结构 INGAAS/GAAS 金属有机物化学气相沉积 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]