采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜  

REACTIVE ION ETCHING OF POLYIMIDE FILM USING SF_6 +O_2

作　　者：孙承龙[1,2] 杜根娣[1,2] 郭方敏[1,2] 陈思琴[1,2] 林绥娟 胡素英 

机构地区：[1]中国科学院上海冶金研究所 [2]中国科学院传感技术联合开放国家实验室

出　　处：《应用科学学报》1993年第1期31-36,共6页Journal of Applied Sciences

摘　　要：报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.We report the principle of reactive ion etching of the polyimide film in piire O2 or SF6 + O2 mixed gases plnsmas. Anisotropic etching techniques are used to etch the polyiroide film whose thickness is 0-4μm. Excellent patterns with straight sidewalls are obtained. The equipment used in the etching process is the Plasraalab Up Etcher made by Oxford Plasma Technology Ltd (UK).

关 键 词：聚酰亚胺 半导体工艺 侵蚀 薄膜 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学]