杜根娣

作品数：5被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：聚酰亚胺汞压电晶体半导体工艺反应离子刻蚀更多>>
发文领域：电子电信环境科学与工程理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《科学通报》《仪表技术与传感器》《应用科学学报》更多>>
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压电晶体对汞蒸气浓度的标定
《仪表技术与传感器》1994年第4期26-29,35,共5页李光云 杜根娣 王科峰 
本文介绍了对两个相互串联连接的压电石英晶体探测器,对大气中汞蒸气浓度进行标定的新方法。文中详细阐述了该分析方法的原理、实验装置和实验步骤。对实验结果进行了讨论,并与YYG-2型冷原子荧光测汞仪的测量结果进行了比较。实验结果表...
关键词：压电晶体 探测器 汞 浓度 标定 
压电晶体双晶片汞传感器
《应用科学学报》1994年第1期53-56,共4页李光云 陆新根 王科峰 杜根娣 
设计了新型的压电晶体传感器探头，使参考晶片与传感晶片同时直接接触待测气体．试验了使用该结构的压电晶体双晶片汞传感器的测汞性能和对水份干扰的影响．实验结果表明：在相当大的范围内．参考晶片接触待测气体并不影响传感器对汞蒸...
关键词：压电晶体 汞传感器 晶片 传感器 
Polyimide辐照效应的紫外及可见光谱研究
《科学通报》1993年第6期568-569,共2页许东 徐兴龙 林梓鑫 杜根娣 邹世昌 
聚酰亚胺(polyimide)是一种电绝缘特性极好的热稳定芳香族聚合物,也被用作光致抗蚀剂.现已发现经过适当剂量的离子注入之后,聚酰亚胺的电导率能提高约20个量级,达到半导体水平.作为抗电磁辐射封装材料和温敏材料,聚酰亚胺已受到广泛瞩目...
关键词：聚酰亚胺 离子注入 可见光谱 
采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜被引量：1
《应用科学学报》1993年第1期31-36,共6页孙承龙 杜根娣 郭方敏 陈思琴 林绥娟 胡素英 
报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形.
关键词：聚酰亚胺 半导体工艺 侵蚀 薄膜 
InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
《电子科学学刊》1991年第6期611-617,共7页郭康瑾 杜根娣 吴征 
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al_2O_3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al_2O_3的介电常数为11～12,Al_2O_3/InP界面存在一个...
关键词：半导体界面 阳极氧化 介质薄膜 
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