Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量  

作　　者：郑新和[1] 渠波[1] 王玉田[1] 戴自忠[1] 杨辉[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第3期242-247,共6页Science in China(Series A)

摘　　要：利用X射线双晶多功能四圆衍射仪 ,对在Si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (APCVD)生长的 3C SiC进行了微孪晶的分析 .Φ扫描证明了 3C SiC外延生长于Si衬底上 ,生长的取向关系为 :( 0 0 1 ) 3C SiC//( 0 0 1 ) Si,[1 1 1 ]3C SiC//[1 1 1 ]Si. 3C SiC的{1 1 1 }极图在χ =1 5 .8°出现了新的衍射 ,采用六角相 {1 0 1 0 }晶面的极图以及孪晶SiC( 0 0 2 )的倒易空间Mapping分析了χ=1 5 .8°处产生的衍射为 3C SiC的孪晶所致 ,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为 1 % .

关 键 词：3C-SIC 微孪晶 双晶多功能四圆衍射 常压化学气相生长 半导体材料 APCVD 碳化硅薄膜 含量 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]