戴自忠

作品数：2被引量：2H指数：1
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中国硅材料工业的前景与挑战被引量：1
《中国集成电路》2002年第3期36-38,共3页梁骏吾 郑敏政 袁桐 戴自忠 
中国工程院软课题2/2001C
我国半导体硅材料事业始于20世纪50年代末,现已经历了四十四个春秋。在这期间,我国建立了多晶硅、直拉单晶硅、区熔单晶硅、硅外延片和非晶硅的生产体系。此外,SiGe材料、SOI。
关键词：多晶硅 半导体硅材料 硅外延片 硅材料工业 集成电路芯片 直拉单晶硅 集成电路制造 挑战 太阳能电池 区熔单晶硅 
Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量被引量：1
《中国科学（A辑）》2001年第3期242-247,共6页郑新和 渠波 王玉田 戴自忠 杨辉 梁骏吾 
利用X射线双晶多功能四圆衍射仪 ,对在Si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (APCVD)生长的 3C SiC进行了微孪晶的分析 .Φ扫描证明了 3C SiC外延生长于Si衬底上 ,生长的取向关系为 :( 0 0 1 ) 3C SiC//( 0 0 1 ) Si,[1 1 1 ]3C SiC//...
关键词：3C-SIC 微孪晶 双晶多功能四圆衍射 常压化学气相生长 半导体材料 APCVD 碳化硅薄膜 含量 
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