GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模  

Accurate Modeling of GaAs MMIC Devices

作　　者：陈雪军[1] 徐世晖[1] 岑元飞[1] 李辉[1] 宋军[1] 陈效建[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第2期126-132,共7页Research & Progress of SSE

摘　　要：论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。We emphasized the essentiality of accurate model to GaAs MMIC's research and product development, and discussed the concept of engineering model and the method of extracting model. Some model extracting and model verifying examples in Nanjing Electronic Devices Institute are also presented.

关 键 词：砷化镓 场效应晶体管 单片集成电路 精确建模 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]