陈雪军

作品数：6被引量：11H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAAS微波单片集成电路单片集成电路功率放大器单片功率放大器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子学报》更多>>
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GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模被引量：2
《固体电子学研究与进展》2001年第2期126-132,共7页陈雪军 徐世晖 岑元飞 李辉 宋军 陈效建 
论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
关键词：砷化镓 场效应晶体管 单片集成电路 精确建模 
2～26GHzGaAs单片功率放大器被引量：5
《电子学报》2000年第11期140-142,共3页陈雪军 高建峰 陈效建 林金庭 
报道了一个具有低噪声性能的 2～ 2 6GHzGaAs超宽带单片功率放大器的研究结果 ,介绍了模型提取、电路设计和单片制作的全过程 .放大器采用分布式设计 ,在超宽带频率范围内增益为 6 5± 0 5dB ,输入输出驻波比小于 2 0 .在 2～ 2 0GH...
关键词：微波单片集成电路 超宽带功率放大器 砷化镓 
移动通信用GaAs微波单片集成电路的CAD技术研究被引量：1
《半导体情报》2000年第1期7-11,共5页徐世晖 陈雪军 李辉 岑元飞 宋军 陈效建 
介绍了一个移动通信用 Ga As MMIC集成电路 CAD系统。该系统包括单片电路器件模型系统和 CAD软件包。应用该系统已完成多个移动通信电路的优化设计 ,取得良好效果。
关键词：砷化镓 CAD 单片集成电路 移动通信 
1997年IEEE GaAs IC国际会议简介被引量：1
《固体电子学研究与进展》1998年第2期219-222,共4页陈雪军 
关键词：砷化镓 IC 集成电路 国际会议 
单片行波功率放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》1998年第1期3-8,共6页陈雪军 林金庭 陈克金 
报道了一个单片行波功率放大器的研究结果。单级放大器电路采用6个栅宽为420μn的GaAsMESFET作为有源器件，通过采用栅串联电容和漏线阻抗渐变技术，在（1-13）GHz频率范围内线性增益为7．5±0．5dB，输出功率大于0．5W，功率附加效率...
关键词：微波集成电路 行波功率放大器 砷化镓 
单片行波功率放大器被引量：2
《固体电子学研究与进展》1996年第4期418-418,共1页陈雪军 林金庭 陈克金 
单片行波功率放大器陈雪军，林金庭，陈克金（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＴｒａｖｅｌｉｎｇＷａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＣｈｅｎＸｕｅｊｕｎ；ＬｉｎＪｉｍｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ（...
关键词：单片 行波放大器 功率放大器 
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