团簇沉积C-N薄膜的研究  

Investigation of C-N film by cluster beam deposition

作　　者：陈景升[1] 俞国庆[1] 张志滨[1] 潘浩昌[1] 朱德彰[1] 徐洪杰[1] 郑志豪[2] 阎逢元[3] 

机构地区：[1]中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800 [2]华东师范大学物理系,上海200062 [3]中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家开放实验室,兰州730000

出　　处：《核技术》2001年第6期433-438,共6页Nuclear Techniques

基　　金：国家自然科学基金! (19735 0 0 4);(196 75 0 6 2 )

摘　　要：利用荷能团簇沉积装置在高阻硅 ( 111)衬底上沉积了碳氮薄膜。通过红外光谱、拉曼谱和X光电子能谱对薄膜的结构和化学组分进行了分析。结果表明 ,薄膜中存在N -sp3C( β -C3N4 的键合方式 ) ,但以N -sp2 C和C =C双键的结合方式为主。C-N films were synthesized on high-resistance Si(111) substrates by cluster beam deposition method. Transmission infrared spectroscopy, Raman spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to characterize the structure of the films. IR, Raman and XPS results indicated that there existed some amount of N-sp 3C bonds, but N-sp 2C and CC bonds were predominant in the films.

关 键 词：团族沉积 碳氮薄膜 结构 制备 表征 硅基底 硬度 光谱 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]