无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究  

Study on Photoluminescence of InGaAs/InP MQWs by Impurity-Free Vacancy Disordering

作　　者：张晓丹[1] 赵杰[1] 王永晨[1] 

机构地区：[1]天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074

出　　处：《天津师范大学学报（自然科学版）》2001年第3期33-35,45,共4页Journal of Tianjin Normal University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (698860 0 1)

摘　　要：用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ,最佳退火条件是 80 0℃ ,1 0 s.同时二次离子质谱 ( SIMS)的分析表明 ,电介质盖层 Si3 N4 和快速热退火 ( RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩 。Band gap blue shift of InGaAs/InP MQWs structures by Impurity free Vacancy Disordering was investigated using Photoluminescence (PL). Si 3N 4 was used for the dielectric layer to create the vacancies. The compositions of sample give diffusion after undergoing rapid thermal annealing (RTA). The results indicate that the band gap blue shift depends on the annealing temperature and annealing time and the good annealing condition is 800℃ and 10 s. At the same time, the Secondary Ion Mass Spectrum (SIMS) shows Si 3N 4 dielectric layer and rapid thermal annealing (RTA) caused the quantum wells intermixing which is the main reason resulted in the band gap blue shift.

关 键 词：无杂质空位诱导无序 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱 INGAAS/INP 光电集成电路 生长工艺 

分 类 号：TN491[电子电信—微电子学与固体电子学]