张晓丹

作品数：5被引量：1H指数：1
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供职机构：天津师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文主题：INGAASP/INP光荧光谱空位多量子阱结构INGAAS/INP更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《天津师范大学学报（自然科学版）》《发光学报》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响
《Journal of Semiconductors》2002年第3期276-279,共4页王永晨 张晓丹 赵杰 殷景志 杨树人 张淑云 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :698860 0 1;698962 60 )~~
报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高纯氮气保护下经 85 0℃、7s的快速退火处理 ,结果发现 :含磷组分 Si Ox Py Nz 电介质薄膜包封下的 In-Ga ...
关键词：量子阱 混合互扩 无序处理 含磷组分薄膜 磷化铟 INGAASP 无序处理 
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：1
《发光学报》2002年第2期119-123,共5页张晓丹 赵杰 王永晨 金鹏 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1)
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快...
关键词：无杂质空位诱导无序 光荧光谱 光调制反射谱 铟镓砷磷化合物 磷化铟 多量子阱结构 单片集成光电器件 
无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究
《天津师范大学学报（自然科学版）》2001年第3期33-35,45,共4页张晓丹 赵杰 王永晨 
国家自然科学基金资助项目 (698860 0 1)
用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ...
关键词：无杂质空位诱导无序 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱 INGAAS/INP 光电集成电路 生长工艺 
运用无杂质空位扩散法研究InGaAs/InP多量子阱结构带隙的蓝移效应
《飞通光电子技术》2001年第2期78-81,共4页张晓丹 王永晨 赵杰 
采用光荧光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)的方法研究了由Si_3N_4和SiO_2电介质膜的无杂质空位诱导(IFVD)的InGaAs/InP多量子阱(MQWS)结构的带隙蓝移。实验中选用Si_3N_4和SiO_2作为电介质膜,用以产生空位,并经过快速热退火处理。实验结果...
关键词：多量子阱 INGAAS/INP 半导体 蓝移效应 空位扩散法 
Si_3N_4无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构带隙的蓝移
《半导体光电》2001年第3期188-190,197,共4页张晓丹 王永晨 赵杰 陈景莉 冯哲川 
国家自然科学基金资助项目! (6 9886 0 0 1)
用光荧光谱和二次离子质谱的方法 ,研究了由Si3N4 电介质薄膜引起的无杂质空位诱导InGaAs/InP多量子阱结构的带隙蓝移。实验中选用Si3N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理。实验结果表明 ,带隙蓝移同退火时间和退火温度...
关键词：无杂质空位诱导 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱 蓝移 磷化铟 砷镓铟 
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