含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响  

Evident Influence on Band Gap of InGaAsP/InP Multiple Quantum Well Structure by Capped Layer with Phosphorous Composition

作　　者：王永晨[1] 张晓丹[1] 赵杰[1] 殷景志[2] 杨树人[2] 张淑云 

机构地区：[1]天津师范大学物理系,天津300074 [2]吉林大学电子工程系,长春130023 [3]天津第四半导体器件厂,天津300111

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第3期276-279,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :698860 0 1;698962 60 )~~

摘　　要：报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高纯氮气保护下经 85 0℃、7s的快速退火处理 ,结果发现 :含磷组分 Si Ox Py Nz 电介质薄膜包封下的 In-Ga As P/In P量子阱带隙展宽十分显著 ,高达 2 2 4 me V ,PL谱峰值波长蓝移 342 nm ,半宽较窄仅为 2 5 nm ,说明量子阱性能保持十分良好 。Quantum well intermixing (QWI) of InGaAsP/InP MQWs is investigated through capping SiO 2,SiO x N y ,Si 3N 4 and SiO x P y N z thin film by PECVD and consequently rapid thermal annealing.The dielectric layers are grown on InGaAsP/InP MQWs materials with the thickness of 300nm.The samples are annealed at 850℃ for 7s under high purity nitrogen protection.The results show that the band gap blue shift is up to 224meV(342nm) for SiO x P y N z capped layer evidently.Furthermore,it has excellent characteristic after QWI.This unusual phenomenon is discussed.

关 键 词：量子阱 混合互扩 无序处理 含磷组分薄膜 磷化铟 INGAASP 无序处理 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]