纳米时代的新型CMOS器件  

作　　者：甘学温[1] 黄爱华[1] 卜伟海[1] 张兴[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所

出　　处：《世界产品与技术》2001年第6期17-19,共3页

摘　　要：体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线。

关 键 词：CMOS器件 场效应晶体管 纳米 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]