卜伟海

作品数：5被引量：5H指数：2
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新型SON器件的自加热效应
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1401-1405,共5页吴大可 田豫 卜伟海 黄如 
分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较.提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度.还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞...
关键词：silicon-on-nothing器件 自加热效应 散热通路 空洞层 
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1147-1153,共7页卜伟海 黄如 徐文华 张兴 
国家重点基础研究专项基金 ( 2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金 ( No.6 9976 0 0 1)资助项目~~
针对 SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟 ,通过改变器件参数 ,比较系统地考察了 SOI器件中瞬态浮体效应 ,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对 CMOS/SOI电路 (以环振电路为例 )的影响 ,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构...
关键词：SOI器件 浮体效应 环振电路 集成电路 
纳米时代的新型CMOS器件被引量：2
《世界产品与技术》2001年第6期17-19,共3页甘学温 黄爱华 卜伟海 张兴 
体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线。
关键词：CMOS器件 场效应晶体管 纳米 
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